TFT 공정 |
Sputter |
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- Meca Clamp를 대체
- Glass의 Slip 방지
- Glass 냉각효과
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- 높은 체적저항을 가진 Bi-polar Type
- 유전층 : 100~200 ㎛
- 전극제작 체적화를 통한 높은 척킹력
- 고전압 고온공정 사용
- Meca Clamp 대체효과
- 1~8G 다양한 Size 대응
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Dry Etch |
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- Plasma Etching공정
- Cooling Gas를 통한 Glass 온도 제어
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- 높은 체적저항을 가진 Mono-polar Type
- 유전층 : 400~800 ㎛
- 허용 Backside Gas압력 : 2~5Torr
- Emboss : Ø0.3 x 1.0mm Pitch
- 내플라즈마 세라믹 Coating
- 1~10.5G 다양한 Size 대응
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OLED 공정 |
증착 공정 |
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- 유,무기물 증착 공정
- Glass 냉각효과 최대화
- Glass 평탄도 최적화
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- 높은 체적저항을 가진 Bi-polar Type
- 유전층 : 100~200 ㎛
- 전극제작 체적화를 통한 높은 척킹력
- 저전압 대비 높은 척킹력
- 균일한 냉각효과 극대화
- 1~8G 다양한 Size 대응
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TSP 공정 |
Sputter |
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- Meca Clamp를 대체
- Glass의 Slip 방지
- Glass 냉각효과
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- 높은 체적저항을 가진 Bi-polar Type
- 유전층 : 100~200 ㎛
- 전극제작 체적화를 통한 높은 척킹력
- 고전압 저온공정 사용 및 높은 수명
- Meca Clamp 대체효과
- 1~8G 다양한 Size 대응
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Dry Etch |
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- Plasma Etching공정
- Cooling Gas를 통한 Glass 온도 제어
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- 높은 체적저항을 가진 Mono-polar Type
- 유전층 : 400~800 ㎛
- 허용 Backside Gas압력 : 2~5Torr
- Emboss : Ø0.3 x 1.0mm Pitch
- 내플라즈마 Coating 및 Dual Type
- 1~10.5G 다양한 Size 대응
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